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水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究
水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究
作者:
周东祥
程书芬
郑志平
龚树萍
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电子技术
PTCR
sol-gel法
水基流延
细晶
摘要:
采用sol-gel法制备纳米BaTiO3基PTCR粉体,并以其为原料,采用水基流延成型工艺制备片式PTCR.研究了在sol-gel法制备BaTiO3粉体中,施受主元素含量、陶瓷的烧成温度与PTC效应、晶粒尺寸的关系以及水基流延工艺中各种添加剂对浆料和膜片性能的影响.结果表明:以纳米BaTiO3粉体为原料、水基流延的片式PTCR坯片,在1 240 ℃下就能半导化,所得陶瓷样品的升阻比高于104,温度系数大于13 % ℃-1,平均晶粒尺寸小于2 mm.
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篇名
水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
电子技术
PTCR
sol-gel法
水基流延
细晶
年,卷(期)
2007,(10)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
40-43
页数
4页
分类号
TM282
字数
2616字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2007.10.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
周东祥
华中科技大学电子科学与技术系
161
1320
16.0
25.0
2
郑志平
华中科技大学电子科学与技术系
14
113
7.0
10.0
4
龚树萍
华中科技大学电子科学与技术系
88
698
13.0
18.0
7
程书芬
华中科技大学电子科学与技术系
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电子技术
PTCR
sol-gel法
水基流延
细晶
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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