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InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算
InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算
作者:
杨晓杰
王青
陈良惠
马文全
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InGaAs
量子点
带内跃迁
八带k·p理论
摘要:
根据八带k·p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0 处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50 μm 蓝移到11.87 μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04 μm红移到1.73 μm;随着量子点高度从1.0 nm增加到 5.0 nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12 μm (5.90 μm)红移到 53.47 μm(31.87 μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13 μm(1.60 μm)红移到1.27 μm(2.01 μm).
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文献信息
篇名
InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
InGaAs
量子点
带内跃迁
八带k·p理论
年,卷(期)
2007,(9)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
5429-5435
页数
7页
分类号
O4
字数
2806字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.074
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈良惠
中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
59
338
11.0
15.0
2
王青
中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
83
1420
20.0
35.0
3
杨晓杰
中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
8
76
4.0
8.0
4
马文全
中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
8
43
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6.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
InGaAs
量子点
带内跃迁
八带k·p理论
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
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