InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

• 作者: 杨晓杰 王青 陈良惠 马文全
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaAs 量子点 带内跃迁 八带k·p理论
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5429-5435
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 2806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.074

摘要

根据八带k·p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0 处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50 μm 蓝移到11.87 μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04 μm红移到1.73 μm;随着量子点高度从1.0 nm增加到 5.0 nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12 μm (5.90 μm)红移到 53.47 μm(31.87 μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13 μm(1.60 μm)红移到1.27 μm(2.01 μm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈良惠	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	59	338	11.0	15.0
2	王青	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	83	1420	20.0	35.0
3	杨晓杰	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	8	76	4.0	8.0
4	马文全	中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室	8	43	5.0	6.0