衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 季振国 席俊华 张品 王超 韩玮智
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 P型 直流反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1132-1135
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.034

摘要

利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜.通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响.XRD结果显示所有制备的薄膜都具有垂直于衬底的c轴择优取向,并且随着衬底温度的增加,薄膜的晶体质量得到了提高.Hall测试表明衬底温度对p型ZnO薄膜的电阻率具有较大影响,400℃下生长的p型ZnO薄膜由于具有较高的迁移率(1.32 cm2/Vs)和载流子浓度(5.58×1017cm-3),因此表现出了最小的电阻率(8.44Ω·cm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	席俊华	浙江大学材料与化工学院硅材料国家重点实验室	4	10	2.0	3.0
2	王超	河南大学物理与电子学院微系统物理研究所	18	26	3.0	4.0
3	季振国	杭州电子科技大学电子信息学院	33	116	5.0	9.0
4	韩玮智	浙江大学材料与化工学院硅材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	张品	浙江大学材料与化工学院硅材料国家重点实验室	5	36	2.0	5.0