掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究

• 作者: 刘丹 刘新宇 刘果果 刘键 和致经 姚小江 庞磊 李诚瞻 陈晓娟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 电流崩塌效应 掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1532-1534,1538
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.05.002

摘要

对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因为对于掺杂AlGaN/GaN HEMT,表面态俘获电子将耗尽掺杂AlGaN层,从而能对2DEG起屏蔽作用.AlGaN体内杂质电离后留下正电荷也能进一步屏蔽表面态对沟道2DEG的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	刘键	中国科学院微电子研究所	28	152	8.0	11.0
3	姚小江	中国科学院微电子研究所	7	38	3.0	6.0
4	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
5	刘丹	中国科学院微电子研究所	52	328	10.0	15.0
6	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
7	陈晓娟	中国科学院微电子研究所	26	185	9.0	12.0
8	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0
9	庞磊	中国科学院微电子研究所	4	13	2.0	3.0