SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管

• 作者: 侯洵 张伟风 张新安 张景文 毕臻 王东 边旭明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 激光分子束外延 薄膜晶体管 迁移率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 306-308
• 页数: 3页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 2280字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.077

摘要

在NH3和O2的混合气氛下,采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备了氮掺杂ZnO薄膜.XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的c轴择优取向性,(0002)面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89.在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管.电学测试表明该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为5.15V,电流开关比为104,电子的场迁移率达到2.66cm2/(V·s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张新安	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	14	56	6.0	6.0
3	张伟风	河南大学物理与电子学院	66	248	8.0	10.0
4	侯洵	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	46	244	9.0	13.0
5	王东	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	25	127	8.0	10.0
6	张景文	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	20	109	7.0	9.0
9	毕臻	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	4	33	3.0	4.0
10	边旭明	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	2	6	1.0	2.0