富铅配料合成PbI2多晶及其熔体分层研究

• 作者: 向安平 朱世富 朱兴华 赵北君 金应荣 魏昭荣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 富铅配料 多晶合成 熔体分层 晶体生长
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 494-497
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 1022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.03.003

摘要

富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象.对合成结果的X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线微区分析(EDX)结果表明:富余的Pb沉积于石英安瓿的底部,与合成的单相PbI2多晶材料分离.根据富Pb配料的范围,结合文献的实验数据,可以确定在Pb-I相图中存在一个新的液相分层区域L2+L3,该区域对PbI2多晶合成和晶体生长具有指导作用.以合成的单相PbI2多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出了尺寸为φ15mm×30mm、外观完整、呈桔红色的PbI2晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	金应荣	西华大学材料科学与工程学院	59	141	5.0	7.0
3	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
4	向安平	成都信息工程学院光电技术系	48	146	7.0	9.0
5	朱兴华	成都信息工程学院光电技术系	32	98	6.0	7.0
6	魏昭荣	成都信息工程学院光电技术系	16	39	3.0	5.0