利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路

• 作者: 向李艳 邬齐荣 陈畅 龚敏
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 片上静电保护 CMOS SCR ISE-TCAD
• 年，卷（期）: 2007,（20）
• 所属期刊栏目: 嵌入式技术
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.20.011

摘要

传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1].提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数.并以某一典型0.6 μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邬齐荣		5	10	2.0	3.0
2	龚敏		21	25	2.0	3.0
3	向李艳		1	0	0.0	0.0
4	陈畅		1	0	0.0	0.0