SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构

• 作者: 李佳 李连碧 李青民 林涛 蒲红斌 陈春兰 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC SiCGe 岛状生长 LPCVD
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 123-126
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1604字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.028

摘要

用热壁CVD法在6H-SiC衬底上生长了SiCGe三元合金,样品生长呈现出显著的岛状特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段对薄膜进行了特性研究.发现样品包含两种特征相,由随机分布的球形岛和岛周围较平坦的背景区域组成.EDS结果表明两相组分不同:球形岛为高Ge区,组分比大于30%;背景区域Ge含量则低于1%.两种相的生长速率也不相同,在生长时间相同的情况下,背景区较薄,且满布三角形堆垛层错.样品的PL峰位于2.2和2.7eV处.分析认为,这两个峰分别来自球形岛和背景区域的带间辐射复合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	林涛	西安理工大学电子工程系	18	40	4.0	5.0
3	李佳	西安理工大学电子工程系	18	45	5.0	6.0
4	蒲红斌	西安理工大学电子工程系	33	119	7.0	9.0
5	李连碧	西安理工大学电子工程系	9	19	3.0	3.0
6	李青民	西安理工大学电子工程系	4	7	1.0	2.0
7	陈春兰	西安理工大学电子工程系	4	1	1.0	1.0