超大规模集成电路CoSix抗氧化阻挡层的制备优化

• 作者: 平井里佳 肖学春 陈秀华 霜恒幸浩 项金钟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CoSi阻挡层薄膜 氢气退火 硅化 扩散 过程优化 抗氧化性能
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 52-57
• 页数: 6页
• 分类号: TB333
• 字数: 420字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.012

摘要

为了制备性能良好的Co(W,P)抗氧化层薄膜材料,提出用SiH4或Si2H6对Co层进行硅化的方案.在整个硅化过程中存在着Si在Co中的扩散和Cu在Co中的扩散,为了实现较好的硅化效果有必要对扩散速率进行定量化.利用X射线光电子能谱(XPS)对Cu在Co中的扩散和Si在Co中的扩散进行深度剖面分析得到了有用的数据,在讨论了扩散过程的基础上,绘制了条件优化区域.实验结果表明:硅化反应的化学气相沉积(CVD)所得到的CoSi薄膜的抗氧化性能明显地比过程优化前得到了提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	项金钟	云南大学材料科学与工程系	65	808	15.0	25.0
2	陈秀华	云南大学材料科学与工程系	15	113	5.0	10.0
3	肖学春	云南大学材料科学与工程系	1	0	0.0	0.0