高分子发光二极管载流子注入过程研究

• 作者: 彭俊彪 黄文波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高分子发光二极管 交流阻抗谱 cole-cole图 载流子注入
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2974-2978
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.085

摘要

采用交流阻抗谱,电容-电压,电容-频率等实验方法,研究了共轭高分子MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethythexoxy)-1,4-phenylene vinylene])发光二极管的载流子注入过程.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/Ba/Al的发光器件,实验结果表明,电极界面是欧姆接触的,载流子的注入是非平衡的,器件薄膜中存在陷阱容易俘获注入电荷,形成空间电荷区,陷阱密度约为3.75×1016cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭俊彪	华南理工大学高分子光电材料及器件研究所	63	524	15.0	20.0
5	黄文波	华南理工大学高分子光电材料及器件研究所	30	223	10.0	14.0