一种宽带低功耗电压可变衰减器的研究

• 作者: 周全 杨强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 低功耗 砷化镓场效应管 电压可变衰减器
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 332-334
• 页数: 3页
• 分类号: TN715
• 字数: 1343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.04.015

摘要

采用微波薄膜混合集成电路工艺设计并实现了一种砷化镓场效应管电压可变衰减器,在DC～20 GHz带宽内插入损耗小于3 dB,最大衰减量22 dB,输入输出端口驻波比小于2.0,衰减动态范围在10 dB以内时衰减平坦度小于1 dB.该衰减器采用单电压源控制衰减量变化,控制电压在-2～0 V内变化时,控制端口电流的实测值低于5μA,具有显著的低功耗优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周全	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	2	1.0	1.0
2	杨强	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	21	2.0	4.0