GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长

• 作者: 任正伟 周志强 徐应强 牛智川 郝瑞亭
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 GaAs GaSb InAs/GaSb超晶格
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1088-1091
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.017

摘要

采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志强	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	16	206	7.0	14.0
2	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
3	徐应强	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	17	50	4.0	6.0
4	郝瑞亭	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	4	24	3.0	4.0
5	任正伟	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	9	25	3.0	4.0