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摘要:
采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.
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超晶格
InAs/GaSb红外探测器
分子束外延
光谱响应
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 分子束外延 GaAs GaSb InAs/GaSb超晶格
年,卷(期) 2007,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1088-1091
页数 4页 分类号 TN304.2+3
字数 1653字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周志强 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 16 206 7.0 14.0
2 牛智川 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 45 124 5.0 8.0
3 徐应强 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 17 50 4.0 6.0
4 郝瑞亭 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 4 24 3.0 4.0
5 任正伟 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 9 25 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
分子束外延
GaAs
GaSb
InAs/GaSb超晶格
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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