栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真

• 作者: 严地 卢盛辉 杜江锋 罗大为 罗谦 靳翀
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN金属半导体场效应晶体管 电子温度 仿真
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 66-69,87
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.02.003

摘要

利用数值模拟仿真对GaN MESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究.结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18 V时可达6223 K,并且电子温度从最高点向四周逐渐降低最后与晶格温度(300 K)达到一致.同时还发现,电子温度与电场方向和电子电流方向密切相关,电子温度的最高点并不在电场的极大值处,而是在电场方向与电子电流方向一致之处.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗大为	中国电子科技大学微电子与固体电子学院	1	2	1.0	1.0
2	卢盛辉	中国电子科技大学微电子与固体电子学院	1	2	1.0	1.0
3	罗谦	中国电子科技大学微电子与固体电子学院	1	2	1.0	1.0
4	杜江锋	中国电子科技大学微电子与固体电子学院	1	2	1.0	1.0
5	靳翀	中国电子科技大学微电子与固体电子学院	1	2	1.0	1.0
6	严地	中国电子科技大学微电子与固体电子学院	1	2	1.0	1.0