调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响

• 作者: 冯志宏 尹甲运 李冬梅 袁凤坡 许敏 陈国鹰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 调制掺杂 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 迁移率
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 230-233
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2263字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.03.013

摘要

利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaN HEMT材料电学性质的影响.发现si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(ns×μ)可以通过si调制掺杂精确控制.当Si掺杂浓度为3×10(18)cm-3时,得到了最低的方块电阻360Ω/□.尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响,迁移率仍可达1220cm2/(V·s).分析了范德堡Hall方法和汞探针C-V方法的差别,同时测得材料的阈值电压也在合理范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈国鹰	河北工业大学信息工程学院	62	307	9.0	12.0
2	李冬梅	河北工业大学信息工程学院	4	25	3.0	4.0
3	许敏	中国电子科技集团公司第十三研究所宽禁带重点实验室	6	40	4.0	6.0
7	冯志宏	中国电子科技集团公司第十三研究所宽禁带重点实验室	6	10	1.0	3.0
8	袁凤坡	中国电子科技集团公司第十三研究所宽禁带重点实验室	7	16	2.0	3.0
9	尹甲运	中国电子科技集团公司第十三研究所宽禁带重点实验室	1	9	1.0	1.0