用于硬盘NiP基片CMP的一种碱性SiO2抛光液

• 作者: 刘玉岭 刘长宇 孙鸣 张伟 武晓玲
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硬盘 磷化镍 化学机械抛光 粗糙度
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 43-45,54
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.01.010

摘要

在NiP基片的化学机械抛光中,针对现有酸性抛光液存在的易腐蚀、易污染和以Al2O3为磨料造成易划伤表面的质量问题,尝试使用SiO2水溶胶作为抛光磨料,通过加入非离子表面活性剂和螯合剂等,配制成一种碱性环境下的硬盘基片抛光液.通过化学机械抛光试验,发现这种碱性SiO2抛光液在硬盘NiP基片抛光中具有250 nm/min的抛光速率,抛光后的表面粗糙度为0.8 nm,表面光滑,几乎观察不到划痕及其他微观缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	张伟	河北工业大学微电子研究所	50	256	10.0	12.0
3	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
4	刘长宇	河北工业大学微电子研究所	5	46	4.0	5.0
5	武晓玲	河北工业大学微电子研究所	5	31	4.0	5.0