GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用

• 作者: 卢东旭 吴洪江 杨克武 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN高电子迁移率晶体管 Ⅰ-Ⅴ特性 非线性器件模型
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 313-315
• 页数: 3页
• 分类号: TN383|TN402
• 字数: 1431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.04.010

摘要

介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的Ⅰ-Ⅴ特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型.建模结果在ADS软件中得到验证,并用于GaN功率单片的设计中,在生产中起到了一定的指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨克武	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	186	6.0	13.0
2	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
3	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
4	卢东旭		1	8	1.0	1.0