掺Sn的In2O3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响

• 作者: 刘丰珍 刘金龙 周玉琴 张群芳 朱美芳 陈瑶 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ITO薄膜 反应热蒸发 优先取向 性能指数
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 883-886
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2695字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.013

摘要

采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω·cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	33	154	6.0	11.0