PLD法制备高介电调谐率的纳米晶BZT薄膜

• 作者: 农亮勤 唐新桂 梁建烈 熊惠芳 陈王丽华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 柱状晶粒 介电调谐特性 探测优值
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 46-48,51
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 3139字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.01.016

摘要

用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3 (x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75.BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm.在室温、1 MHz和3×105V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%.薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈王丽华	香港理工大学应用物理系	27	186	7.0	13.0
2	唐新桂	广西民族大学物理与电子工程学院	26	71	5.0	6.0
4	农亮勤	广西民族大学物理与电子工程学院	19	67	4.0	7.0
5	梁建烈	广西民族大学物理与电子工程学院	25	77	5.0	7.0
6	熊惠芳	广东工业大学物理与光电工程学院	13	37	4.0	5.0