低速高电荷态重离子在GaN单晶中引起的辐照损伤研究

• 作者: 姚存峰 孙友梅 张崇宏 杨义涛 赵志明
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 低速高电荷重离子 氮化镓 辐照损伤
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 318-322
• 页数: 5页
• 分类号: O571.33
• 字数: 3725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.04.020

摘要

利用Rutherford沟道背散射分析研究了低速高电荷态重离子(Xe26+)在氮化镓(GaN)晶体中辐照损伤的产生对剂量的依赖关系,比较了垂直照射和60°倾斜照射的差异.基于"库仑爆炸"模型对结果进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙友梅	中国科学院近代物理研究所	31	115	7.0	9.0
2	张崇宏	中国科学院近代物理研究所	50	169	7.0	11.0
3	赵志明	中国科学院近代物理研究所	8	46	3.0	6.0
4	姚存峰	中国科学院近代物理研究所	10	31	3.0	5.0
8	杨义涛	中国科学院近代物理研究所	27	72	5.0	7.0