DA和AA在CPB现场修饰碳糊电极上的电化学行为及电分析方法

• 作者: 韩晓霞 高作宁
• 来源期刊: 应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: 多巴胺 抗坏血酸 溴化十六烷基吡啶 碳糊电?现场修饰
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 770-773
• 页数: 4页
• 分类号: O657.1
• 字数: 2593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0518.2007.07.009

摘要

研究了多巴胺(Dopamine,DA)和抗坏血酸(Ascorbic acid,AA)在裸碳糊电极(Carbon Paste Electrode,CPE)和溴化十六烷基吡啶(Cetylpyrid bromide,CPB)现场修饰碳糊电极(CPB/CPE)上的电化学行为.与CPE相比,DA在CPB/CPE上与CPB产生了静电排斥作用,氧化峰电流减小,氧化峰电位正移;AA和CPB产生了静电吸引作用,氧化峰电流增大,氧化峰电位负移.循环伏安法研究表明,在DA和AA共存体系中,DA和AA的氧化峰电位相差约340 mV,以此建立了DA和AA的电化学同时测定方法.微分脉冲伏安法研究结果表明,DA和AA氧化峰电流和其相应浓度在1.0×10-5～5.0×10-3 mol/L的范围内呈良好的线性关系.本方法也可用于DA和AA共存体系中选择性测定DA.在100倍AA共存时DA的检出限为2.0×10-6 mol/L,CPB修饰碳糊电极直接用于市售针剂中DA含量的测定,所得结果令人满意.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高作宁	宁夏大学能源化工重点实验室化学化工学院	100	438	11.0	14.0
2	韩晓霞	宁夏大学能源化工重点实验室化学化工学院	18	86	6.0	8.0