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摘要:
对双金属环阵列结构产生负磁导率的机理进行了分析,在此基础上,尝试采用单金属环阵列结构来构造负磁导率材料.给出了单金属环阵列结构的负磁导率特性,研究了该材料负磁导率频率区间与各参数变量之间的平移特性.对单金属环阵列结构进行了改进,得到了一种体现负折射率效应的准Ω结构的复合介质.
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文献信息
篇名 单金属环阵列的负磁导率特性研究
来源期刊 哈尔滨工程大学学报 学科 物理学
关键词 单金属环阵列 负磁导率 频率区间 负折射率
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 350-354
页数 5页 分类号 O441
字数 3311字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-7043.2007.03.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 苑立波 哈尔滨工程大学理学院 111 827 16.0 23.0
2 关春颖 哈尔滨工程大学理学院 19 173 6.0 13.0
3 谢德权 哈尔滨工程大学理学院 3 3 1.0 1.0
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2013(1)
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研究主题发展历程
节点文献
单金属环阵列
负磁导率
频率区间
负折射率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
哈尔滨工程大学学报
月刊
1006-7043
23-1390/U
大16开
哈尔滨市南岗区南通大街145号1号楼
14-111
1980
chi
出版文献量(篇)
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16
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45433
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