ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究

• 作者: 唐斌 张强 税正伟 赵春兰 邓宏 陈建勇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO纳米棒 外延生长 晶格常数 失配度
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 540-544
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 字数: 2281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.03.013

摘要

运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54%;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si ,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12%.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐斌	西南石油大学理学院	210	2076	24.0	33.0
5	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
6	税正伟	西南石油大学理学院	21	84	5.0	8.0
7	张强	西南石油大学理学院	53	121	6.0	8.0
8	陈建勇	西南石油大学理学院	6	31	3.0	5.0
9	赵春兰	西南石油大学理学院	13	47	5.0	6.0