蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长

• 作者: 刘万清 刘挺 周勇 廖秀英 杨晓波 王振 赵文伯 赵红 邹泽亚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD AlN 极性 原子级光滑
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1568-1573
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 4877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.014

摘要

在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166".实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.