钙通道Cav3.1的S4区域在其电压依赖性失活过程中的作用

• 作者: 李俊英
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: Cav3.1 钙离子通道 电压依赖性失活 第4跨膜区(S4)
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 898-902
• 页数: 5页
• 分类号: TM1
• 字数: 4688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2007.08.008

摘要

电压依赖性失活在钙通道的生理功能中起重要作用,参与通道失活的分子结构域目前还不清楚.为研究T型钙通道Cav3.1分子中第4跨膜区(S4)在电压依赖性失活中的作用,用Cav1.2通道(无电压依赖性失活)的S4区替换Cav3.1 (快速电压依赖性失活)的相应S4区域,构建嵌合通道(chimera),并在卵母细胞中表达,用双电极电压钳记录其通道电流.结果显示,替换结构域Ⅰ中的S4使Cav3.1的稳态失活曲线左移,V0.5失活和k失活值显著改变;替换其余结构域(Ⅱ～Ⅳ)的S4对失活的电压依赖性无显著影响.结果表明,结构域Ⅰ的S4参与通道的失活过程,不同结构域的S4 在Cav3.1失活中的作用不同,提示结构域Ⅰ的S4可能起偶联膜电位变化与通道失活的作用,膜电位变化引起S4移动可能是通道失活区分子结构变化的触发因素.