n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合

• 作者: 何国荣 曹玉莲 李慧 渠红伟 石岩 种明 陈良惠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电集成 直接键合 GaAs GaN
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1815-1817
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1665字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.028

摘要

采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李慧	中国科学院半导体研究所纳米光电实验室	120	1144	19.0	29.0
2	陈良惠	中国科学院半导体研究所纳米光电实验室	59	338	11.0	15.0
3	种明	中国科学院半导体研究所纳米光电实验室	12	102	6.0	10.0
4	曹玉莲	中国科学院半导体研究所纳米光电实验室	15	78	5.0	8.0
5	何国荣	中国科学院半导体研究所纳米光电实验室	10	50	3.0	6.0
6	渠红伟	中国科学院半导体研究所纳米光电实验室	12	34	3.0	5.0
7	石岩	中国科学院半导体研究所纳米光电实验室	4	6	2.0	2.0