高k纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究

• 作者: 刘辉兰 李桂芳 杨建红
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 关态泄漏电流 边缘直接隧穿电流 边缘诱导的势垒降低 高k栅介质
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 1043-1047
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.12.003

摘要

对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT).对50 nm和90 nm MOSFET器件的Id-Vg特性进行了比较,发现在高Vdd下,关态泄漏电流(Ioff)随IEDT的增加而不断增大,并且器件尺寸越小,Ioff越大.高k栅介质能够减小IEDT,进而减小了Ioff,其中HfSiON、HfLaO可以使边缘隧穿电流减小2～5个数量级且边缘诱导的势垒降低(FIBL)效应很小.但当栅介质的k＞25以后,由于FIBL效应,关态泄漏电流反而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建红	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	44	143	6.0	9.0
2	李桂芳	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0
3	刘辉兰	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0