改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象

• 作者: 介万奇 徐亚东 曾冬梅 杨戈 王涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe 化学计量比偏离 PL谱 红外透过率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 345-347
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 2499字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.087

摘要

采用多种测试方法,对改进的垂直布里奇曼法生长Cd0.96Zn0.04Te晶体中的成分偏离标准化学计量比现象及其对晶体性能的影响进行了研究.X射线能谱成分测试表明,在晶锭的头部即初始结晶位置,(Cd+Zn)/Te比大于1;而在中部及末端,小于1.表明这种方法生长的CZT晶体仍然存在对标准化学计量比的偏离现象,开始结晶是在富Cd熔体中,生长至中后段则是在富Te条件下进行的.PL谱测试表明,富Cd的晶片内存在大量Te空位,严重富Te的晶片内Cd空位及其杂质复合体等引起的缺陷密度显著增加.晶体红外透过率测试结果表明,接近化学计量配比的CZT晶片具有高的红外透过率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	王涛	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	100	658	13.0	21.0
3	杨戈	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	5	16	2.0	3.0
4	曾冬梅	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	7	15	2.0	3.0
5	徐亚东	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	23	70	5.0	7.0