PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜

• 作者: 何海平 叶志镇 朱丽萍 潘新花 顾修全
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光沉积 p-ZnO 锑掺杂
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 279-281
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.070

摘要

采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺人ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过优化温度获得了电学性能优良的p型ZnO薄膜,其电阻率为2.21Ω·cm,迁移率为1.23cm2/(V·s),空穴浓度为2.30×1018cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾修全	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
2	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
3	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
4	何海平	浙江大学硅材料国家重点实验室	19	71	5.0	7.0
5	潘新花	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	17	2.0	4.0