等离子体刻蚀对Nafion(R)膜性能的影响

• 作者: 唐金库 巴俊洲 李军 蒋亚雄
• 来源期刊: 舰船科学技术
• 学科: 化学
• 关键词: 等离子体刻蚀 Nafion(R) 膜-电极界面
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 135-138
• 页数: 4页
• 分类号: O63.3
• 字数: 2719字
• 语种: 中文

摘要

介绍了不同等离子体刻蚀条件对用于电解水制氢领域的Nafion(R)117膜的性能影响.测试经表面刻蚀处理的Nafion(R)膜的含水率、交换容量和电解性能,寻找最适用于Nafion(R)膜表面刻蚀的条件.适宜的刻蚀有效地扩大了Nafion(R)膜和催化电极之间的反应界面,并且使电极形成多孔结构,有利于产生的气体从电极上释放,降低槽电压.但过度刻蚀将破坏膜的离子簇,导致气阻增加,引起槽体性能下降.因此应严格控制射频功率和处理时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巴俊洲	中国船舶重工集团公司第七一八研究所	26	65	5.0	7.0
2	唐金库	中国船舶重工集团公司第七一八研究所	21	49	3.0	6.0
3	李军	中国船舶重工集团公司第七一八研究所	84	127	6.0	8.0
4	蒋亚雄	中国船舶重工集团公司第七一八研究所	31	66	5.0	7.0