空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响

• 作者: 吕小红 孙文荣 段满龙 董志远 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 半绝缘 空位 填隙
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 175-178
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.042

摘要

利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
2	吕小红	中国科学院半导体研究所	3	8	1.0	2.0
3	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
4	段满龙	中国科学院半导体研究所	11	95	5.0	9.0
5	孙文荣	中国科学院半导体研究所	7	36	4.0	6.0