基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型

• 作者: 代月花 柯导明 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复合多晶硅栅 LDMOS 阈值电压
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 844-848
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2007.05.009

摘要

本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects )和DIBL(drain-induced barrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0
4	高珊	安徽大学电子科学与技术学院	28	89	6.0	8.0