多晶硅薄膜残余应力显微拉曼谱实验分析

• 作者: 吴昊 孟永钢 温诗铸 苏才钧 郭占社
• 来源期刊: 机械强度
• 关键词: 拉曼谱 多晶硅 薄膜 残余应力
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子机械系统
• 页码范围: 233-236
• 页数: 4页
• 分类号: TB302.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9669.2007.02.012

摘要

利用显微拉曼谱对桥式多晶硅薄膜梁的残余应力进行测量,该多晶硅薄膜采用典型的MEMS(micro-electro-mechanical systems)工艺制造.实验结果表明, 多晶硅薄膜梁的中部存在很大的拉伸残余应力(约1 GPa),且多晶硅薄膜的残余应力沿梁长方向大致呈对称分布,这种内应力分布与制造过程中的ICP(inductively-coupled plasma)工艺密切相关.多晶硅薄膜梁在残余应力作用下的变形情况可以通过WYKO白光形貌仪准确地表征,经过ANSYS计算,薄膜残余应力分布状况与显微拉曼谱法的测量结果吻合.因而,显微拉曼谱法是测量多晶硅薄膜残余应力的一种准确而可靠的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴昊	清华大学摩擦学国家重点实验室	33	528	10.0	22.0
2	温诗铸	清华大学摩擦学国家重点实验室	156	3364	28.0	50.0
3	苏才钧	清华大学摩擦学国家重点实验室	7	114	5.0	7.0
4	郭占社	清华大学摩擦学国家重点实验室	8	127	6.0	8.0
5	孟永钢	清华大学摩擦学国家重点实验室	94	907	17.0	24.0