生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

• 作者: 冉军学 刘宏新 李晋闽 王保柱 王军喜 王新华 王晓亮 王晓燕 王翠梅 肖红领 郭伦春
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF-MBE 铟铝镓氮 XRD RBS SEM
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 197-199
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.048

摘要

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.