AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器

• 作者: 刘斌 周建军 姬小利 张荣 江若琏 谢自力 郑有炓 韩平 龚海梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 紫外探测器 共振腔增强 AlGaN 分布布拉格反射镜 传递矩阵方法
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1957-1960
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.8
• 字数: 2130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.020

摘要

设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底和GaN模板上外延生长得到.光谱响应测试显示了正入射时该器件在波长313nm处出现响应的选择增强,零偏压下响应度为14mA/W.