应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

• 作者: 俞慧强 修向前 夏冬梅 张荣 施毅 朱顺明 梅琴 王琦 王荣华 谢自力 郑有炓 韩平 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si SiC 化学气相沉积 霍尔迁移率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 130-132
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.030

摘要

用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.