MOCVD方法制备高Al组分AlGaN

• 作者: 刘宏新 曾一平 李建平 李晋闽 王保柱 王军喜 王晓亮 王晓燕 肖红领 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD AlGaN 透射谱 XRD SEM
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 193-196
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.047

摘要

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了高Al组分的AlGaN薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为1.33×104和0.66×104Pa的两个样品的光学性质、晶体质量及表面形貌进行了对比.