CMOS亚阈偏置恒流源的分析与设计

• 作者: 常昌远 张春华
• 来源期刊: 电子工程师
• 学科: 工学
• 关键词: 亚阈区偏置 低功耗 低工作电压 恒流源
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子与基础产品
• 页码范围: 12-13,34
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4888.2007.01.005

摘要

由于IC芯片设计普遍采用全局偏置技术,偏置电路的稳定性对整个电路的性能有较大影响.文中利用MOS管工作在亚阈值区的偏置判断条件,分析了一种基于VT的工作在亚阈值区的偏置电流源,能够满足提供较小工作电流、低功耗的要求,同时对电源变化敏感度极低,在电源电压0.7 V～5 V变化时输出电流仅变化不到0.9%.整个电路采用CSMC 0.6 μm双层多晶硅双层金属标准工艺实现,采用Cadence Spectre进行模拟仿真,仿真结果证明了该电流源具有低功耗和高电源抑制比特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常昌远	东南大学集成电路学院	50	471	14.0	19.0
2	张春华	东南大学集成电路学院	2	6	2.0	2.0