多孔硅的化学浸蚀制备与表征

• 作者: 刘强 郁卫飞 黄亨建 黎学明
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 化学浸蚀 纳米结构材料 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 663-666
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 3329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.05.016

摘要

以不同电阻率的p型单晶硅片为研究对象,通过正交实验对化学浸蚀法制备多孔硅的工艺条件进行优化,采用多种仪器对制备的多孔硅比表面积、膜厚、表面形貌、化学组成及光致发光进行表征.结果表明,p型单晶硅片经化学浸蚀后能够形成多孔硅,其膜厚达到3 μm;延长浸蚀时间,多孔硅比表面积和膜厚呈先增大后减小的趋势,但化学浸蚀时间太长将导致局部区域的多孔硅层坍塌;室温条件下,多孔硅可光致发光,由于孔洞尺寸分布范围较窄,多孔硅发光半峰宽较窄.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘强	重庆大学化学化工学院	46	651	15.0	25.0
2	黄亨建	中国工程物理研究院化工材料研究所	24	455	11.0	21.0
3	黎学明	重庆大学化学化工学院	99	889	17.0	25.0
4	郁卫飞	中国工程物理研究院化工材料研究所	45	435	15.0	18.0