As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响

• 作者: 刘林生 周均铭 李志华 王文新 蒋中伟 高汉超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 生长中断 超晶格 掠入射X射线反射
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1785-1789
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2904字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.094

摘要

用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb,型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20 s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌,过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点,而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成,两者都使界面变得粗糙.另外,还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周均铭	中国科学院物理研究所	29	95	6.0	8.0
2	李志华	中国科学院物理研究所	10	21	3.0	4.0
3	王文新	中国科学院物理研究所	15	50	4.0	6.0
4	蒋中伟	中国科学院物理研究所	4	45	4.0	4.0
5	高汉超	中国科学院物理研究所	2	7	2.0	2.0
6	刘林生	中国科学院物理研究所	1	5	1.0	1.0