用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能

• 作者: 冯高明 刘波 吴良才 宋志棠 封松林 陈宝明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 相变存储器 W亚微米管加热电极 电学性能 疲劳特性
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1134-1138
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 1921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.027

摘要

为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波	中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室	266	2712	24.0	39.0
2	封松林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室	44	296	8.0	16.0
3	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室	51	197	8.0	12.0
4	冯高明	中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室	1	4	1.0	1.0
8	吴良才	中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室	7	8	2.0	2.0
9	陈宝明		1	4	1.0	1.0