用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑

• 作者: 倪金玉 张进城 张金凤 郝跃 陈海峰 高志远
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: KOH腐蚀 位错 GaN 极性
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 473-479
• 页数: 7页
• 分类号: O77
• 字数: 1447字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.001

摘要

用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	陈海峰	西安电子科技大学微电子研究所	8	32	4.0	5.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
4	张金凤	西安电子科技大学微电子研究所	16	87	7.0	8.0
5	高志远	西安电子科技大学微电子研究所	6	31	4.0	5.0
6	倪金玉	西安电子科技大学微电子研究所	7	31	3.0	5.0