准静态C-V法测量硅表面态密度分布及数据处理

• 作者: 刘蓓 辛煜 钱敏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: C-V测试 表面态分布 数据处理 数值积分
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 577-580
• 页数: 4页
• 分类号: TM23|TN304
• 字数: 2396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.07.007

摘要

表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究.采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉积了低介电常数绝缘介质的MOS结构;对该样品进行了高频和准静态C-V测试;在给出表面态分析计算的原理基础上,用C语言编写数值积分程序对所采集数据进行了数据处理分析,计算得到了表面态密度分布情况,给出了分布曲线.结果表明,该样品p-Si材料的禁带中表面态存在比较广的连续分布,在靠近价带一侧呈现两个峰值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	辛煜	苏州大学物理科学与技术学院	38	176	8.0	10.0