4H-SiC MESFET器件的制备与性能

• 作者: 刘忠立 宁瑾 张杨
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET S参数 直流测试
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 385-387
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2217字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.098

摘要

在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80/μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,频率特性最好.在漏源电压Vds=10V时,它的漏极电流Ids约为14mA,电流密度为175mA/mm,最大跨导为25mS/mm,fT=3.5GHz,fmax=7GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
5	张杨	中国科学院半导体研究所	43	179	7.0	12.0
9	宁瑾	中国科学院半导体研究所	13	44	4.0	6.0