用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜

• 作者: 卢景霄 张丽伟 张宇翔 李瑞 李红菊 王新昌
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 硅薄膜 柱状结晶 快速热退火 扫描电子显微镜
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 531-533
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.04.021

摘要

用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理.借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部.对实验结果进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽伟	郑州大学教育部材料物理重点实验室	17	90	7.0	9.0
5	卢景霄	郑州大学教育部材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0
6	王新昌	郑州大学教育部材料物理重点实验室	30	79	4.0	7.0
7	张宇翔	郑州大学教育部材料物理重点实验室	45	274	10.0	14.0
8	李红菊	郑州大学教育部材料物理重点实验室	7	32	3.0	5.0
9	李瑞	河南工业大学化工学院	22	64	5.0	6.0