InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质

• 作者: 吴正云 姚建明 孔令民
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 自组装InAs量子点 量子阱 时间分辨谱
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 198-201
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.02.012

摘要

在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的.采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研究了其光致发光稳态和瞬态特性.研究发现,InGaAs量子阱层可以有效地缓冲InAs量子点中的应变,提高量子点的生长质量,可以在室温下探测到较强的发光峰.在量子阱中生长量子点可以获得室温下1 318 nm的发光,并且使其PL谱的半高宽减小到25 meV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
2	孔令民	浙江海洋学院物理系	18	30	2.0	4.0
3	姚建明	浙江海洋学院物理系	10	23	2.0	3.0