PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列

• 作者: 何海平 叶志镇 张银珠 朱丽萍 赵炳辉 顾修全
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PLD ZnO 能带工程 纳米材料
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 329-332
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.083

摘要

使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾修全	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
2	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
3	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
4	何海平	浙江大学硅材料国家重点实验室	19	71	5.0	7.0
5	张银珠	浙江大学硅材料国家重点实验室	21	434	9.0	20.0
6	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0