蓝宝石衬底上水平生长ZnO纳米线及紫外敏感性能研究

• 作者: 唐斌 程和 邓宏 陈金菊 韦敏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO纳米线 紫外敏感 I-V特性 光响应度
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: O462
• 字数: 2017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.012

摘要

在无催化剂条件下,采用化学气相沉积(CVD)方法在蓝宝石(110)衬底上制备了ZnO纳米线.X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO的(100)衍射峰和(110)衍射峰.扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线在蓝宝石衬底上水平生长.在样品上蒸镀了金叉指电极,以256nm的紫外光作为光源,测试了样品的紫外光敏感性能,研究表明水平生长的ZnO纳米线对紫外光具有较快的响应,在5V偏压下,光电流与暗电流比为30;当波长为354nm时光响应度达到最大值为0.56A/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	309	11.0	16.0
2	唐斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	210	2076	24.0	33.0
6	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
7	韦敏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	131	7.0	11.0
8	程和	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	14	2.0	2.0