磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加

• 作者: 孙宝权 王志路
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs/AlAs超晶格 磁场下纵向输运 隧穿电流
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 549-552
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 1391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.014

摘要

在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志路	唐山师范学院初等教育学院	20	159	7.0	12.0
2	孙宝权	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	20	17	2.0	3.0