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摘要:
在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变.
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文献信息
篇名 磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 GaAs/AlAs超晶格 磁场下纵向输运 隧穿电流
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 549-552
页数 4页 分类号 O469
字数 1391字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志路 唐山师范学院初等教育学院 20 159 7.0 12.0
2 孙宝权 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 20 17 2.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
GaAs/AlAs超晶格
磁场下纵向输运
隧穿电流
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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