电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响

• 作者: 张剑铭 徐晨 沈光地 邹德恕 顾晓玲
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 发光二极管 电极结构 大功率
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6003-6007
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.075

摘要

在台面结构的GaN基发光二极管(LED)里,电流要侧向传输,当尺寸与电流密度加大之后,由于n型GaN层和下限制层的横向电阻不能忽略,造成了横向电流分布不均匀.通过优化电极结构,以减小电流横向传输距离,制作出两种不同电极结构的大功率GaN基倒装LED.通过比较这两种不同电极结构的GaN基倒装大功率LED的电、光性能,发现在350 mA正向电流下,插指电极结构的倒装大功率GaN基LED的正向电压为3.35 V,比环形插指电极结构的倒装大功率GaN基LED高0.15 V.尽管环形插指电极结构GaN基LED的发光面积略小于插指电极结构GaN基LED,但在大电流下,环形插指电极结构倒装GaN基LED的光输出功率比插指电极结构的倒装大功率LED的光输出功率大.并且在大电流下,环形插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和速度慢,而插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和明显.这说明优化电极结构能提高电流扩展均匀性,减小焦耳热的产生,改善GaN基LED的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨	北京工业大学北京市光电子技术实验室	63	295	9.0	13.0
2	沈光地	北京工业大学北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
3	邹德恕	北京工业大学北京市光电子技术实验室	58	270	10.0	12.0
4	张剑铭	北京工业大学北京市光电子技术实验室	11	85	6.0	9.0
5	顾晓玲	北京工业大学北京市光电子技术实验室	12	126	7.0	11.0