1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用

• 作者: 孙建 张发荣 张晓丹 熊绍珍 耿新华 赵颖 陈飞 魏长春
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜太阳电池 高沉积速率
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 209-212
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.013

摘要

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1 nm/s高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达6.3%的高沉积速率微晶硅太阳电池.